Efficient and directed nano-light emitting diode, and method for making same

WO2012024299 Art A1 23. Februar 2012

Anmelder: Rensselaer Polytechnic Institute 🇺🇸

Details

Veröffentlichungs-Nr.: WO2012024299
Aktenzeichen: EP11818664
Anmeldetag: 16. August 2011
Veröffentlichung: 23. Februar 2012
Rechtsraum: WO
IPC: H01L33/20

Offizieller Volltext

Abstract

Für dieses Patent liegt uns kein Abstract vor.

Anmelder

Firma: Rensselaer Polytechnic Institute
Land: 🇺🇸 USA

🇺🇸 Rensselaer Polytechnic Institute

Das Rensselaer Polytechnic Institute ist eine private technische Universität mit Sitz in Troy, New York, und eine der ältesten technischen Hochschulen der USA. Das Patentportfolio streut breit über Medizintechnik, Halbleiter und Mess- und Prüftechnik, mit weiteren Anmeldungen in Pharma, Kunststofftechnik und Software. Anmeldungen decken den Zeitraum 2000 bis 2025 ab.

418 Patente in unserer Datenbank

Fachgebiete

Halbleiter & Elektrische Bauelemente

Vertreten von