Silicon on insulator integrated high-current n type combined semiconductor device
WO2012024986
Art A1
1. März 2012
Anmelder: Southeast University 🇨🇳
Details
- Veröffentlichungs-Nr.
- WO2012024986
- Aktenzeichen
- EP11819361
- Anmeldetag
- 11. Juli 2011
- Veröffentlichung
- 1. März 2012
- Rechtsraum
- WO
- IPC
- H01L21/8249H01L21/762
Abstract
Für dieses Patent liegt uns kein Abstract vor.
Anmelder
- Firma
- Southeast University
- Land
- 🇨🇳 China
🇨🇳
Southeast University
Chinesische Universität mit Sitz in Nanjing, Schwerpunkt auf Ingenieur- und Technikwissenschaften.
748 Patente in unserer Datenbank
Fachgebiete
Vertreten von
Kein Vertreter erfasst.