Heat dissipation structure for soi field effect transistor

WO2012025025 Art A1 1. März 2012

Anmelder: Peking University 🇨🇳

Details

Veröffentlichungs-Nr.: WO2012025025
Aktenzeichen: EP11819400
Anmeldetag: 17. August 2011
Veröffentlichung: 1. März 2012
Rechtsraum: WO
IPC: H01L23/38

Offizieller Volltext

Abstract

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Anmelder

Firma: Peking University
Land: 🇨🇳 China

🇨🇳 Peking University

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Fachgebiete

Halbleiter & Elektrische Bauelemente

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