Electrochemically-gated transistor and a method for its manufacture

WO2012025190 Art A1 1. März 2012

Anmelder: Karlsruher Institut für Technologie 🇩🇪

Details

Veröffentlichungs-Nr.: WO2012025190
Aktenzeichen: EP11740580
Anmeldetag: 3. August 2011
Veröffentlichung: 1. März 2012
Rechtsraum: WO
IPC: H01L29/78H01L29/24G01N27/414

Offizieller Volltext

Abstract

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Anmelder

Firma: Karlsruher Institut für Technologie
Land: 🇩🇪 Deutschland

🇩🇪 Karlsruher Institut für Technologie

Deutsche Universität und Forschungseinrichtung in Karlsruhe, entstanden aus Fusion von Universität und Großforschungszentrum, mit Lehre und Forschung in Natur-, Ingenieur- und Technikwissenschaften.

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Fachgebiete

Halbleiter & Elektrische Bauelemente Mess-, Prüf- & Zeitmesstechnik

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