Method for measuring adhesion energy and associated substrates

WO2012025532 Art A1 1. März 2012

Anmelder: Soitec 🇫🇷

Details

Veröffentlichungs-Nr.
WO2012025532
Aktenzeichen
EP11748642
Anmeldetag
23. August 2011
Veröffentlichung
1. März 2012
Rechtsraum
WO
IPC
G01N19/04
Offizieller Volltext

Abstract

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Anmelder

Firma
Soitec
Land
🇫🇷 Frankreich
🇫🇷 Soitec

Französischer Halbleiterhersteller mit Sitz in Bernin, spezialisiert auf Silicon-on-Insulator (SOI) Substrate. Patente decken Halbleitermaterialien und Waferbondtechnik ab.

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