Method for measuring adhesion energy and associated substrates
WO2012025532
Art A1
1. März 2012
Anmelder: Soitec 🇫🇷
Details
- Veröffentlichungs-Nr.
- WO2012025532
- Aktenzeichen
- EP11748642
- Anmeldetag
- 23. August 2011
- Veröffentlichung
- 1. März 2012
- Rechtsraum
- WO
- IPC
- G01N19/04
Abstract
Für dieses Patent liegt uns kein Abstract vor.
Anmelder
- Firma
- Soitec
- Land
- 🇫🇷 Frankreich
🇫🇷
Soitec
Französischer Halbleiterhersteller mit Sitz in Bernin, spezialisiert auf Silicon-on-Insulator (SOI) Substrate. Patente decken Halbleitermaterialien und Waferbondtechnik ab.
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