Method for manufacturing semiconductor device, and substrate treatment device

WO2012026241 Art A1 1. März 2012

Anmelder: Hitachi Kokusai Electric Inc. 🇯🇵

Details

Veröffentlichungs-Nr.
WO2012026241
Aktenzeichen
EP11819709
Anmeldetag
15. Juli 2011
Veröffentlichung
1. März 2012
Rechtsraum
WO
IPC
H01L21/302
Offizieller Volltext

Abstract

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Anmelder

Firma
Hitachi Kokusai Electric Inc.
Land
🇯🇵 Japan
🇯🇵 Hitachi

Japanischer Konzern, der Technik für Energie, Bahn, Industrieanlagen, Informationstechnik und Haushaltsgeräte entwickelt und herstellt.

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