Drive method for memory element, and storage device using memory element

WO2012026506 Art A1 1. März 2012

Anmelder: National Institute of Advanced Industrial Science and Technology, Funai Electric Advanced Applied Technology Research Institute Inc., Funai Electric Co., Ltd. 🇯🇵

Details

Veröffentlichungs-Nr.: WO2012026506
Aktenzeichen: EP11819969
Anmeldetag: 25. August 2011
Veröffentlichung: 1. März 2012
Rechtsraum: WO
IPC: G11C13/00H01L27/105H01L45/00H01L49/02

Offizieller Volltext

Abstract

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Anmelder

Firmen: National Institute of Advanced Industrial Science and Technology
Funai Electric Advanced Applied Technology Research Institute Inc.
Funai Electric Co., Ltd.
Land: 🇯🇵 Japan

🇯🇵 National Institute of Advanced Industrial Science and Technology

Staatliches japanisches Forschungsinstitut (AIST), das breit angelegte angewandte Forschung in Bereichen wie Materialwissenschaft, Energie, Elektronik und Biotechnologie betreibt.

147 Patente in unserer Datenbank

🇯🇵 Funai Electric

Japanischer Elektronikhersteller mit Produkten wie Fernsehgeräten, Druckern und weiterer Unterhaltungselektronik.

1.424 Patente in unserer Datenbank

Fachgebiete

Akustik, Musik & Datenspeicherung Halbleiter & Elektrische Bauelemente

Vertreten von