Staggered thin film transistor and method of forming the same

WO2012028432 Art A1 8. März 2012

Anmelder: Applied Materials, Inc. 🇺🇸

Details

Veröffentlichungs-Nr.: WO2012028432
Aktenzeichen: EP11740951
Anmeldetag: 9. August 2011
Veröffentlichung: 8. März 2012
Rechtsraum: WO
IPC: H01L29/45H01L29/49H01L29/786H01L23/532

Offizieller Volltext

Abstract

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Anmelder

Firma: Applied Materials, Inc.
Land: 🇺🇸 USA

🇺🇸 Applied Materials

US-amerikanisches Technologieunternehmen mit Sitz in Santa Clara, Kalifornien. Applied Materials entwickelt Fertigungsanlagen und Prozesstechnologien für die Halbleiter-, Display- und Solarindustrie, unter anderem für Beschichtung, Ätzen und Materialabscheidung.

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Fachgebiete

Halbleiter & Elektrische Bauelemente

Vertreten von