Field effect transistor using carbon nanotubes, and method for producing said field effect transistor

WO2012029234 Art A1 8. März 2012

Anmelder: National University Corporation Nagoya University, Aalto University 🇯🇵

Details

Veröffentlichungs-Nr.: WO2012029234
Aktenzeichen: EP11821259
Anmeldetag: 4. August 2011
Veröffentlichung: 8. März 2012
Rechtsraum: WO
IPC: H01L29/786H01L51/05H01L51/30H01L51/40

Offizieller Volltext

Abstract

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Anmelder

Firmen: National University Corporation Nagoya University
Aalto University
Land: 🇯🇵 Japan

🇯🇵 National University Corporation Nagoya University

Japanische staatliche Universität mit umfangreicher Forschung in Naturwissenschaften, Technik und Medizin, unter anderem bekannt für Arbeiten zu LED-Technologie. Trägerin zahlreicher Patente aus Universitätsforschung in Japan.

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Fachgebiete

Halbleiter & Elektrische Bauelemente

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