Semiconductor substrate, insulated gate field effect transistor, and method for manufacturing semiconductor substrate

WO2012029292 Art A1 8. März 2012

Anmelder: Sumitomo Chemical Company Limited 🇯🇵

Details

Veröffentlichungs-Nr.: WO2012029292
Aktenzeichen: EP11821313
Anmeldetag: 30. August 2011
Veröffentlichung: 8. März 2012
Rechtsraum: WO
IPC: H01L21/338H01L29/778H01L29/78H01L29/786H01L29/812

Offizieller Volltext

Abstract

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Anmelder

Firma: Sumitomo Chemical Company Limited
Land: 🇯🇵 Japan

🇯🇵 Sumitomo Chemical

Japanischer Chemiekonzern mit Sitz in Tokio, Teil der Sumitomo-Gruppe. Aktiv in Petrochemie, Agrochemie, Pharmazeutika, Elektronikmaterialien, Energiematerialien und Kunststoffen.

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Fachgebiete

Halbleiter & Elektrische Bauelemente

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