Method for forming anodized layer and mold production method
WO2012029570
Art A1
8. März 2012
Anmelder: Sharp Kabushiki Kaisha 🇯🇵
Details
- Veröffentlichungs-Nr.
- WO2012029570
- Aktenzeichen
- EP11821587
- Anmeldetag
- 22. August 2011
- Veröffentlichung
- 8. März 2012
- Rechtsraum
- WO
- IPC
- C25D11/04B29C33/38B29C59/02C25D11/24G02B1/11B29L11/00
Abstract
Für dieses Patent liegt uns kein Abstract vor.
Anmelder
- Firma
- Sharp Kabushiki Kaisha
- Land
- 🇯🇵 Japan
🇯🇵
Sharp
Japanischer Elektronikkonzern mit Sitz in Sakai bei Osaka, seit 2016 mehrheitlich zu Foxconn gehörend. Aktiv in Displaytechnik (LCD, OLED), Unterhaltungselektronik, Haushaltsgeräten sowie Halbleiter- und Solartechnologie.
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Vertreten von
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