Method for manufacturing semiconductor device and substrate treatment device

WO2012029661 Art A1 8. März 2012

Anmelder: Hitachi Kokusai Electric Inc. 🇯🇵

Details

Veröffentlichungs-Nr.: WO2012029661
Aktenzeichen: EP11821678
Anmeldetag: 26. August 2011
Veröffentlichung: 8. März 2012
Rechtsraum: WO
IPC: H01L21/205C23C16/24

Offizieller Volltext

Abstract

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Anmelder

Firma: Hitachi Kokusai Electric Inc.
Land: 🇯🇵 Japan

🇯🇵 Hitachi

Japanischer Konzern, der Technik für Energie, Bahn, Industrieanlagen, Informationstechnik und Haushaltsgeräte entwickelt und herstellt.

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Fachgebiete

Halbleiter & Elektrische Bauelemente Metallurgie & Oberflächentechnik

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