Amorphous silicon nitride film and method for producing same
WO2012029709
Art A1
8. März 2012
Anmelder: Shimadzu Corporation 🇯🇵
Details
- Veröffentlichungs-Nr.
- WO2012029709
- Aktenzeichen
- EP11821725
- Anmeldetag
- 29. August 2011
- Veröffentlichung
- 8. März 2012
- Rechtsraum
- WO
- IPC
- C23C16/34G02F1/1333H01L21/205H01L21/768H01L23/522H01L31/04H01L33/44H01L51/50H05B33/02H05B33/04H05B33/10
Abstract
Für dieses Patent liegt uns kein Abstract vor.
Anmelder
- Firma
- Shimadzu Corporation
- Land
- 🇯🇵 Japan
🇯🇵
Shimadzu
Japanisches Technologieunternehmen mit Sitz in Kyoto. Shimadzu entwickelt Analyse- und Messgeräte, medizinische Bildgebungssysteme sowie Komponenten für Luft- und Raumfahrt, Industrie und Wissenschaft.
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