Phase change memory structures and methods

WO2012030379 Art A2 8. März 2012

Anmelder: Micron Technology, Inc. 🇺🇸

Details

Veröffentlichungs-Nr.: WO2012030379
Aktenzeichen: EP11822241
Anmeldetag: 24. August 2011
Veröffentlichung: 8. März 2012
Rechtsraum: WO
IPC: H01L21/8247H01L27/115

Offizieller Volltext

Abstract

Für dieses Patent liegt uns kein Abstract vor.

Anmelder

Firma: Micron Technology, Inc.
Land: 🇺🇸 USA

🇺🇸 Micron Technology

US-amerikanisches Halbleiterunternehmen mit Sitz in Boise, Idaho. Micron entwickelt und fertigt Speicherchips wie DRAM und NAND-Flash sowie Speicherlösungen für Computer, Mobilgeräte, Rechenzentren und Automobile.

3.194 Patente in unserer Datenbank

Fachgebiete

Halbleiter & Elektrische Bauelemente

Vertreten von