High-efficiency base-driver circuit for power bipolar junction transistors

WO2012030867 Art A2 8. März 2012

Anmelder: The Trustees Of Dartmouth College 🇺🇸

Details

Veröffentlichungs-Nr.: WO2012030867
Aktenzeichen: EP11822517
Anmeldetag: 30. August 2011
Veröffentlichung: 8. März 2012
Rechtsraum: WO
IPC: H03K17/64H03K17/615

Offizieller Volltext

Abstract

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Anmelder

Firma: The Trustees Of Dartmouth College
Land: 🇺🇸 USA

🇺🇸 Trustees of Dartmouth College

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Fachgebiete

Elektronik & Schaltungstechnik

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