Method for testing data retention characteristics of resistive random access memory device
WO2012031489
Art A1
15. März 2012
Anmelder: Peking University 🇨🇳
Details
- Veröffentlichungs-Nr.
- WO2012031489
- Aktenzeichen
- EP11823012
- Anmeldetag
- 19. Mai 2011
- Veröffentlichung
- 15. März 2012
- Rechtsraum
- WO
- IPC
- G11C29/56
Abstract
Für dieses Patent liegt uns kein Abstract vor.
Anmelder
- Firma
- Peking University
- Land
- 🇨🇳 China
🇨🇳
Peking University
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