Thin-film transistor substrate, method for producing same, and display device

WO2012032749 Art A1 15. März 2012

Anmelder: Sharp Kabushiki Kaisha 🇯🇵

Details

Veröffentlichungs-Nr.: WO2012032749
Aktenzeichen: EP11823229
Anmeldetag: 2. September 2011
Veröffentlichung: 15. März 2012
Rechtsraum: WO
IPC: H01L29/786G02F1/1368G09F9/30H01L21/28H01L21/336H01L21/8238H01L27/08H01L27/092

Offizieller Volltext

Abstract

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Anmelder

Firma: Sharp Kabushiki Kaisha
Land: 🇯🇵 Japan

🇯🇵 Sharp

Japanischer Elektronikkonzern mit Sitz in Sakai bei Osaka, seit 2016 mehrheitlich zu Foxconn gehörend. Aktiv in Displaytechnik (LCD, OLED), Unterhaltungselektronik, Haushaltsgeräten sowie Halbleiter- und Solartechnologie.

22.800 Patente in unserer Datenbank

Fachgebiete

Anzeige-, Signal- & Kontrolltechnik Halbleiter & Elektrische Bauelemente Optik & Fototechnik

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