Nonvolatile memory array with three-dimensional structure and manufacturing method thereof

WO2012034394 Art A1 22. März 2012

Anmelder: Peking University 🇨🇳

Details

Veröffentlichungs-Nr.: WO2012034394
Aktenzeichen: EP11824465
Anmeldetag: 1. April 2011
Veröffentlichung: 22. März 2012
Rechtsraum: WO
IPC: H01L27/10H01L45/00

Offizieller Volltext

Abstract

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Anmelder

Firma: Peking University
Land: 🇨🇳 China

🇨🇳 Peking University

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Fachgebiete

Halbleiter & Elektrische Bauelemente

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