Defect inspection method and device thereof

WO2012035852 Art A1 22. März 2012

Anmelder: Hitachi High-Technologies Corporation 🇯🇵

Details

Veröffentlichungs-Nr.: WO2012035852
Aktenzeichen: EP11824862
Anmeldetag: 6. Juli 2011
Veröffentlichung: 22. März 2012
Rechtsraum: WO
IPC: G01N21/956G01B11/30G06T1/00H01L21/66

Offizieller Volltext

Abstract

Für dieses Patent liegt uns kein Abstract vor.

Anmelder

Firma: Hitachi High-Technologies Corporation
Land: 🇯🇵 Japan

🇯🇵 Hitachi High-Tech Corporation

Japanisches Unternehmen der Hitachi-Gruppe, spezialisiert auf Analysegeräte, medizinische Diagnostik und Fertigungsanlagen für die Halbleiterindustrie.

3.840 Patente in unserer Datenbank

Fachgebiete

Halbleiter & Elektrische Bauelemente Mess-, Prüf- & Zeitmesstechnik Software & Datenverarbeitung

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