Semiconductor Element
WO2012036165
Art A1
22. März 2012
Anmelder: Rohm Co., Ltd. 🇯🇵
Details
- Veröffentlichungs-Nr.
- WO2012036165
- Aktenzeichen
- EP11825165
- Anmeldetag
- 13. September 2011
- Veröffentlichung
- 22. März 2012
- Rechtsraum
- WO
- IPC
- H01L27/04H01L21/336H01L21/8234H01L27/06H01L27/088H01L29/06H01L29/12H01L29/739H01L29/78
Abstract
Für dieses Patent liegt uns kein Abstract vor.
Anmelder
- Firma
- Rohm Co., Ltd.
- Land
- 🇯🇵 Japan
🇯🇵
Rohm
Japanischer Halbleiterhersteller mit Sitz in Kyoto, spezialisiert auf integrierte Schaltkreise, diskrete Halbleiterbauelemente und Leistungshalbleiter (unter anderem Siliziumkarbid-Bauteile).
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