Magnetoresistive element and magnetic random-access memory

WO2012036282 Art A1 22. März 2012

Anmelder: Kabushiki Kaisha Toshiba 🇯🇵

Details

Veröffentlichungs-Nr.: WO2012036282
Aktenzeichen: EP11825280
Anmeldetag: 16. September 2011
Veröffentlichung: 22. März 2012
Rechtsraum: WO
IPC: H01L21/8246G11C11/15H01L27/105H01L29/82H01L43/08

Offizieller Volltext

Abstract

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Anmelder

Firma: Kabushiki Kaisha Toshiba
Land: 🇯🇵 Japan

🇯🇵 Toshiba

Japanischer Konzern, der Elektronik, Halbleiter, Energie- und Infrastrukturtechnik sowie Industrieanlagen entwickelt und herstellt.

13.649 Patente in unserer Datenbank

Fachgebiete

Akustik, Musik & Datenspeicherung Halbleiter & Elektrische Bauelemente

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