Semiconductor junction element, semiconductor device using same, and method for manufacturing semiconductor junction element

WO2012039265 Art A1 29. März 2012

Anmelder: Hitachi, Ltd. 🇯🇵

Details

Veröffentlichungs-Nr.: WO2012039265
Aktenzeichen: EP11826711
Anmeldetag: 2. September 2011
Veröffentlichung: 29. März 2012
Rechtsraum: WO
IPC: H01L29/26H01L29/861H01L31/04H01L35/22

Offizieller Volltext

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Anmelder

Firma: Hitachi, Ltd.
Land: 🇯🇵 Japan

🇯🇵 Hitachi

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Fachgebiete

Halbleiter & Elektrische Bauelemente

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