Bypass diode device, method for inspecting same, and method for manufacturing film diode device

WO2012039332 Art A1 29. März 2012

Anmelder: Sanyo Electric Co., Ltd., Sanyo Amoruton Co., Ltd. 🇯🇵

Details

Veröffentlichungs-Nr.: WO2012039332
Aktenzeichen: EP11826778
Anmeldetag: 14. September 2011
Veröffentlichung: 29. März 2012
Rechtsraum: WO
IPC: H01L31/042

Offizieller Volltext

Abstract

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Anmelder

Firmen: Sanyo Electric Co., Ltd.
Sanyo Amoruton Co., Ltd.
Land: 🇯🇵 Japan

🇯🇵 Sanyo Electric

Ehemaliger japanischer Elektronikkonzern mit Sitz in Osaka, seit 2011 Teil des Panasonic-Konzerns. Sanyo war aktiv in Unterhaltungselektronik, Halbleitern, Batterietechnik und Solartechnologie.

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Fachgebiete

Halbleiter & Elektrische Bauelemente

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