Nonvolatile semiconductor memory device

WO2012039511 Art A1 29. März 2012

Anmelder: Kabushiki Kaisha Toshiba 🇯🇵

Details

Veröffentlichungs-Nr.: WO2012039511
Aktenzeichen: EP11826950
Anmeldetag: 22. September 2011
Veröffentlichung: 29. März 2012
Rechtsraum: WO
IPC: G11C16/02G11C16/04H01L21/8247H01L27/10H01L27/115H01L29/788H01L29/792

Offizieller Volltext

Abstract

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Anmelder

Firma: Kabushiki Kaisha Toshiba
Land: 🇯🇵 Japan

🇯🇵 Toshiba

Japanischer Konzern, der Elektronik, Halbleiter, Energie- und Infrastrukturtechnik sowie Industrieanlagen entwickelt und herstellt.

13.649 Patente in unserer Datenbank

Fachgebiete

Akustik, Musik & Datenspeicherung Halbleiter & Elektrische Bauelemente

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