In-situ heating and co-annealing for laser annealed junction formation

WO2012040464 Art A2 29. März 2012

Anmelder: Varian Semiconductor Equipment Associates, Inc. 🇺🇸

Details

Veröffentlichungs-Nr.: WO2012040464
Aktenzeichen: EP11770230
Anmeldetag: 22. September 2011
Veröffentlichung: 29. März 2012
Rechtsraum: WO
IPC: H01L21/02

Offizieller Volltext

Abstract

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Anmelder

Firma: Varian Semiconductor Equipment Associates, Inc.
Land: 🇺🇸 USA

🇺🇸 Varian Semiconductor Equipment Associates, Inc.

Varian Semiconductor Equipment Associates war ein US-amerikanischer Hersteller von Halbleiteranlagen, seit 2011 Teil von Applied Materials. Die Patente betreffen Ionenimplantation und Halbleiterfertigung.

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Fachgebiete

Halbleiter & Elektrische Bauelemente

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