Die-stacking using through-silicon vias on bumpless build-up layer substrates including embedded-dice, and processes of forming same

WO2012040682 Art A2 29. März 2012

Anmelder: Intel Corporation 🇺🇸

Details

Veröffentlichungs-Nr.
WO2012040682
Aktenzeichen
EP11827699
Anmeldetag
24. September 2011
Veröffentlichung
29. März 2012
Rechtsraum
WO
IPC
H01L23/48H01L21/60
Offizieller Volltext

Abstract

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Anmelder

Firma
Intel Corporation
Land
🇺🇸 USA
🇺🇸 Intel

US-amerikanischer Halbleiterhersteller mit Sitz in Kalifornien. Entwickelt und produziert Prozessoren, Chipsätze sowie weitere Halbleiterkomponenten für Computer, Server und eingebettete Systeme.

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