Method for forming metal interconnection structure, through hole between metallization layers and interconnect metallization lines
WO2012041033
Art A1
5. April 2012
Anmelder: Institute Of Microelectronics, Chinese Academy Of Sciences 🇨🇳
Details
- Veröffentlichungs-Nr.
- WO2012041033
- Aktenzeichen
- EP11827929
- Anmeldetag
- 17. Februar 2011
- Veröffentlichung
- 5. April 2012
- Rechtsraum
- WO
- IPC
- H01L21/768H01L23/52
Abstract
Für dieses Patent liegt uns kein Abstract vor.
Anmelder
- Firma
- Institute Of Microelectronics, Chinese Academy Of Sciences
- Land
- 🇨🇳 China
🇨🇳
Institute of Microelectronics, Chinese Academy of Sciences
Chinesisches Forschungsinstitut der Chinese Academy of Sciences mit Schwerpunkt auf Mikroelektronik und Halbleitertechnologie. Patente betreffen Chipdesign und Halbleiterfertigung.
610 Patente in unserer Datenbank
Fachgebiete
Vertreten von
Kein Vertreter erfasst.