Igbt structure integrating anti-parallel diode and manufacturing method thereof

WO2012041179 Art A1 5. April 2012

Anmelder: BYD Company Limited, Shenzhen BYD Auto R&D Company Limited 🇨🇳

Details

Veröffentlichungs-Nr.: WO2012041179
Aktenzeichen: EP11828075
Anmeldetag: 21. September 2011
Veröffentlichung: 5. April 2012
Rechtsraum: WO
IPC: H01L29/739H01L21/331H01L29/06

Offizieller Volltext

Abstract

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Anmelder

Firmen: BYD Company Limited
Shenzhen BYD Auto R&D Company Limited
Land: 🇨🇳 China

🇨🇳 BYD

Chinesischer Konzern für Elektromobilität und Batterietechnik mit Sitz in Shenzhen. BYD entwickelt Elektro- und Hybridfahrzeuge, Akkumulatoren sowie Elektronik- und Halbleiterkomponenten.

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Fachgebiete

Halbleiter & Elektrische Bauelemente

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