Memory element, semiconductor storage device, method of manufacturing memory element, and method of reading from semiconductor storage device

WO2012042828 Art A1 5. April 2012

Anmelder: Panasonic Corporation 🇯🇵

Details

Veröffentlichungs-Nr.: WO2012042828
Aktenzeichen: EP11828394
Anmeldetag: 26. September 2011
Veröffentlichung: 5. April 2012
Rechtsraum: WO
IPC: H01L27/105G11C13/00H01L27/10H01L45/00H01L49/00

Offizieller Volltext

Abstract

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Anmelder

Firma: Panasonic Corporation
Land: 🇯🇵 Japan

🇯🇵 Panasonic

Japanischer Konzern, der Haushaltsgeräte, Unterhaltungselektronik, Batterien sowie Komponenten und Lösungen für Industrie und Automobilbau entwickelt und herstellt.

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Fachgebiete

Akustik, Musik & Datenspeicherung Halbleiter & Elektrische Bauelemente

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