Device for producing polycrystalline silicon and method for producing polycrystalline silicon
WO2012043316
Art A1
5. April 2012
Anmelder: JNC Corporation, JX Nippon Mining & Metals Corporation, Toho Titanium CO., LTD. 🇯🇵
Details
- Veröffentlichungs-Nr.
- WO2012043316
- Aktenzeichen
- EP11828873
- Anmeldetag
- 21. September 2011
- Veröffentlichung
- 5. April 2012
- Rechtsraum
- WO
- IPC
- C01B33/033
Abstract
Für dieses Patent liegt uns kein Abstract vor.
Anmelder
- Firmen
- JNC Corporation
JX Nippon Mining & Metals Corporation
Toho Titanium CO., LTD. - Land
- 🇯🇵 Japan
🇯🇵
JNC Corporation
Japanisches Chemieunternehmen, hervorgegangen aus der Chisso Corporation, mit Sitz in Tokio und Schwerpunkt auf Flüssigkristallen, Kunststoffen und Spezialchemikalien.
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🇯🇵
JX Nippon Mining & Metals
JX Nippon Mining & Metals Corporation ist ein japanisches Unternehmen der Nichteisenmetallindustrie, das Kupfer, Halbleitermaterialien und Metallverarbeitung herstellt, Teil der ENEOS-Gruppe.
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