Pattern forming method, resist underlayer film, and composition for forming resist underlayer film

WO2012043403 Art A1 5. April 2012

Anmelder: JSR Corporation 🇯🇵

Details

Veröffentlichungs-Nr.: WO2012043403
Aktenzeichen: EP11828959
Anmeldetag: 22. September 2011
Veröffentlichung: 5. April 2012
Rechtsraum: WO
IPC: G03F7/11G03F7/26G03F7/40H01L21/027

Offizieller Volltext

Abstract

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Anmelder

Firma: JSR Corporation
Land: 🇯🇵 Japan

🇯🇵 JSR Corporation

JSR Corporation ist ein japanisches Chemieunternehmen, das synthetische Kautschuke sowie Materialien für die Halbleiter- und Displayindustrie herstellt.

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Fachgebiete

Halbleiter & Elektrische Bauelemente Optik & Fototechnik

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