Method for producing substrate for group iii nitride semiconductor element fabrication, method for producing group iii nitride semiconductor free-standing substrate or group iii nitride semiconductor element, and group iii nitride growth substrate

WO2012043885 Art A1 5. April 2012

Anmelder: DOWA Electronics Materials Co., Ltd., Dowa Holdings Co., Ltd. 🇯🇵

Details

Veröffentlichungs-Nr.: WO2012043885
Aktenzeichen: EP11829435
Anmeldetag: 30. September 2011
Veröffentlichung: 5. April 2012
Rechtsraum: WO
IPC: C30B29/38C23C14/14C23C14/34C23C14/58C30B25/18H01L33/32

Offizieller Volltext

Abstract

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Anmelder

Firmen: DOWA Electronics Materials Co., Ltd.
Dowa Holdings Co., Ltd.
Land: 🇯🇵 Japan

🇯🇵 DOWA Electronics Materials

DOWA Electronics Materials ist ein japanisches Unternehmen der DOWA-Gruppe für elektronische Werkstoffe und Metallpulver. Das Patentportfolio konzentriert sich auf Halbleiter und elektrische Bauelemente sowie Fertigungstechnik, ergänzt durch anorganische Chemie und Metallurgie. Anmeldungen reichen von 2001 bis in die Gegenwart.

471 Patente in unserer Datenbank

Fachgebiete

Halbleiter & Elektrische Bauelemente Metallurgie & Oberflächentechnik

Vertreten von