Gap embedding composition, method of embedding gap and method of producing semiconductor device by using the composition

WO2012043890 Art A1 5. April 2012

Anmelder: FUJIFILM Corporation 🇯🇵

Details

Veröffentlichungs-Nr.: WO2012043890
Aktenzeichen: EP11829439
Anmeldetag: 30. September 2011
Veröffentlichung: 5. April 2012
Rechtsraum: WO
IPC: H01L21/027C08G77/16C08K5/05C08K5/06C08L83/04H01L21/3213H01L21/312

Offizieller Volltext

Abstract

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Anmelder

Firma: FUJIFILM Corporation
Land: 🇯🇵 Japan

🇯🇵 Fujifilm

Japanischer Konzern, hervorgegangen aus der Fotofilmherstellung, heute aktiv in Bildgebung, Dokumentenlösungen, Materialwissenschaften sowie Diagnostik und Arzneimittelherstellung.

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Fachgebiete

Halbleiter & Elektrische Bauelemente Kunststoff- & Polymertechnik

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