Directionally Recrystallized Graphene Growth Substrates

WO2012044284 Art A1 5. April 2012

Anmelder: Empire Technology Development LLC 🇺🇸

Details

Veröffentlichungs-Nr.: WO2012044284
Aktenzeichen: EP10857978
Anmeldetag: 28. September 2010
Veröffentlichung: 5. April 2012
Rechtsraum: WO
IPC: C01B31/02C03B29/00C23C16/26H01L21/20

Offizieller Volltext

Abstract

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Anmelder

Firma: Empire Technology Development LLC
Land: 🇺🇸 USA

🇺🇸 Empire Technology Development

US-amerikanisches Unternehmen mit Sitz in Delaware, das als Patentverwertungsgesellschaft Erfindungen aus verschiedenen Technologiebereichen managt und lizenziert.

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Fachgebiete

Anorganische Chemie & Werkstoffe Halbleiter & Elektrische Bauelemente Metallurgie & Oberflächentechnik

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