Memory arrays and methods of operating memory

WO2012044965 Art A1 5. April 2012

Anmelder: Micron Technology, Inc. 🇺🇸

Details

Veröffentlichungs-Nr.: WO2012044965
Aktenzeichen: EP11829986
Anmeldetag: 30. September 2011
Veröffentlichung: 5. April 2012
Rechtsraum: WO
IPC: G11C7/10G11C16/06

Offizieller Volltext

Abstract

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Anmelder

Firma: Micron Technology, Inc.
Land: 🇺🇸 USA

🇺🇸 Micron Technology

US-amerikanisches Halbleiterunternehmen mit Sitz in Boise, Idaho. Micron entwickelt und fertigt Speicherchips wie DRAM und NAND-Flash sowie Speicherlösungen für Computer, Mobilgeräte, Rechenzentren und Automobile.

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Fachgebiete

Akustik, Musik & Datenspeicherung

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