Vertical channel field effect transistor and manufacturing method thereof

WO2012045257 Art A1 12. April 2012

Anmelder: Peking University 🇨🇳

Details

Veröffentlichungs-Nr.: WO2012045257
Aktenzeichen: EP11830213
Anmeldetag: 9. September 2011
Veröffentlichung: 12. April 2012
Rechtsraum: WO
IPC: H01L29/78H01L21/336

Offizieller Volltext

Abstract

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Anmelder

Firma: Peking University
Land: 🇨🇳 China

🇨🇳 Peking University

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Fachgebiete

Halbleiter & Elektrische Bauelemente

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