Method for manufacturing semiconductor device

WO2012046695 Art A1 12. April 2012

Anmelder: Hitachi Chemical Company, Ltd. 🇯🇵

Details

Veröffentlichungs-Nr.
WO2012046695
Aktenzeichen
EP11830627
Anmeldetag
3. Oktober 2011
Veröffentlichung
12. April 2012
Rechtsraum
WO
IPC
H01L21/52C09J5/06C09J11/00C09J201/00
Offizieller Volltext

Abstract

Für dieses Patent liegt uns kein Abstract vor.

Anmelder

Firma
Hitachi Chemical Company, Ltd.
Land
🇯🇵 Japan
🇯🇵 Hitachi Chemical

Ehemaliges japanisches Chemieunternehmen, das Materialien für Halbleiter, Batterien und Verbundwerkstoffe herstellte. Ging nach mehreren Umfirmierungen im Konzern Resonac auf.

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