Method for forming micro- or nanoscale patterns using liquid crystal phase and defect structures
WO2012046896
Art A1
12. April 2012
Anmelder: Korea Advanced Institute Of Science And Technology 🇰🇷
Details
- Veröffentlichungs-Nr.
- WO2012046896
- Aktenzeichen
- EP10858172
- Anmeldetag
- 7. Oktober 2010
- Veröffentlichung
- 12. April 2012
- Rechtsraum
- WO
- IPC
- G03F7/20B81B7/04G02F1/1337
Abstract
Für dieses Patent liegt uns kein Abstract vor.
Anmelder
- Firma
- Korea Advanced Institute Of Science And Technology
- Land
- 🇰🇷 Südkorea
🇰🇷
KAIST
Südkoreanische technische Universität und Forschungsinstitution mit Fokus auf Ingenieurwissenschaften, Naturwissenschaften und Technologieentwicklung, unter anderem in Robotik und Elektronik.
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