Method for fabricating small-scale mos device

WO2012048624 Art A1 19. April 2012

Anmelder: CSMC Technologies Fab1 Co., Ltd., CSMC Technologies Fab2 Co., Ltd. 🇨🇳

Details

Veröffentlichungs-Nr.: WO2012048624
Aktenzeichen: EP11832021
Anmeldetag: 9. Oktober 2011
Veröffentlichung: 19. April 2012
Rechtsraum: WO
IPC: H01L21/336H01L21/265

Offizieller Volltext

Abstract

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Anmelder

Firmen: CSMC Technologies Fab1 Co., Ltd.
CSMC Technologies Fab2 Co., Ltd.
Land: 🇨🇳 China

🇨🇳 CSMC Technologies Fab2

CSMC Technologies Fab2 Co., Ltd. ist ein chinesischer Halbleiterhersteller mit Sitz in Wuxi, der als Foundry Leistungshalbleiter und analoge Bauelemente fertigt. Das Patentportfolio konzentriert sich fast vollständig auf Halbleiter und elektrische Bauelemente, ergänzt um Elektronik, Optik und Mess- und Prüftechnik. Anmeldungen erfolgen seit 2010 bis in die Gegenwart.

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Fachgebiete

Halbleiter & Elektrische Bauelemente

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