Etchant for controlled etching of ge and ge-rich silicon germanium alloys

WO2012048899 Art A1 19. April 2012

Anmelder: Soitec 🇫🇷

Details

Veröffentlichungs-Nr.: WO2012048899
Aktenzeichen: EP11779093
Anmeldetag: 14. Oktober 2011
Veröffentlichung: 19. April 2012
Rechtsraum: WO
IPC: C09K13/04C09K13/08

Offizieller Volltext

Abstract

Für dieses Patent liegt uns kein Abstract vor.

Anmelder

Firma: Soitec
Land: 🇫🇷 Frankreich

🇫🇷 Soitec

Französischer Halbleiterhersteller mit Sitz in Bernin, spezialisiert auf Silicon-on-Insulator (SOI) Substrate. Patente decken Halbleitermaterialien und Waferbondtechnik ab.

529 Patente in unserer Datenbank

Fachgebiete

Farben, Klebstoffe & Brennstoffe

Vertreten von