Kantenemittierende Halbleiterlaserdiode und Verfahren zu dessen Herstellung

WO2012048962 Art A2 19. April 2012

Anmelder: OSRAM Opto Semiconductors GmbH 🇩🇪

Details

Veröffentlichungs-Nr.: WO2012048962
Aktenzeichen: EP11764497
Anmeldetag: 7. September 2011
Veröffentlichung: 19. April 2012
Rechtsraum: WO
IPC: H01S5/223H01S5/227

Offizieller Volltext

Abstract

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Anmelder

Firma: OSRAM Opto Semiconductors GmbH
Land: 🇩🇪 Deutschland

🇩🇪 OSRAM Opto Semiconductors

Deutsches Unternehmen für optoelektronische Halbleiter mit Sitz in Regensburg, Tochtergesellschaft von OSRAM. Es entwickelt LEDs, Laserdioden und Sensoren für Beleuchtung, Automobil- und Consumer-Elektronik.

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Fachgebiete

Halbleiter & Elektrische Bauelemente

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