Method for forming pzt thin film and method for producing semiconductor device
WO2012049735
Art A1
19. April 2012
Anmelder: ULVAC, Inc. 🇯🇵
Details
- Veröffentlichungs-Nr.
- WO2012049735
- Aktenzeichen
- EP10858390
- Anmeldetag
- 12. Oktober 2010
- Veröffentlichung
- 19. April 2012
- Rechtsraum
- WO
- IPC
- H01L21/316H01L21/205H01L21/8246H01L27/105
Abstract
Für dieses Patent liegt uns kein Abstract vor.
Anmelder
- Firma
- ULVAC, Inc.
- Land
- 🇯🇵 Japan
🇯🇵
ULVAC
Japanisches Unternehmen mit Sitz in Chigasaki, spezialisiert auf Vakuumtechnik sowie Anlagen für die Halbleiter- und Displayfertigung.
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