Ferroelectric thin film having superlattice structure, manufacturing method thereof, ferroelectric element, and manufacturing method thereof

WO2012050007 Art A1 19. April 2012

Anmelder: National Institute for Materials Science 🇯🇵

Details

Veröffentlichungs-Nr.
WO2012050007
Aktenzeichen
EP11832443
Anmeldetag
4. Oktober 2011
Veröffentlichung
19. April 2012
Rechtsraum
WO
IPC
H01L21/316C01G33/00G11C11/22H01L21/314H01L21/8246H01L27/105
Offizieller Volltext

Abstract

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Anmelder

Firma
National Institute for Materials Science
Land
🇯🇵 Japan
🇯🇵 National Institute for Materials Science

Japanisches staatliches Forschungsinstitut mit Sitz in Tsukuba, das auf Materialwissenschaft und Werkstoffforschung spezialisiert ist.

828 Patente in unserer Datenbank

Fachgebiete

Akustik, Musik & Datenspeicherung Anorganische Chemie & Werkstoffe Halbleiter & Elektrische Bauelemente

Vertreten von

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