Method and apparatus for reducing particle defects in plasma etch chambers

WO2012051022 Art A2 19. April 2012

Anmelder: Applied Materials, Inc. 🇺🇸

Details

Veröffentlichungs-Nr.: WO2012051022
Aktenzeichen: EP11833142
Anmeldetag: 5. Oktober 2011
Veröffentlichung: 19. April 2012
Rechtsraum: WO
IPC: H05H1/34H01L21/3065

Offizieller Volltext

Abstract

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Anmelder

Firma: Applied Materials, Inc.
Land: 🇺🇸 USA

🇺🇸 Applied Materials

US-amerikanisches Technologieunternehmen mit Sitz in Santa Clara, Kalifornien. Applied Materials entwickelt Fertigungsanlagen und Prozesstechnologien für die Halbleiter-, Display- und Solarindustrie, unter anderem für Beschichtung, Ätzen und Materialabscheidung.

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Fachgebiete

Elektronik & Schaltungstechnik Halbleiter & Elektrische Bauelemente

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