Two silicon-containing precursors for gapfill enhancing dielectric liner

WO2012051120 Art A2 19. April 2012

Anmelder: Applied Materials, Inc. 🇺🇸

Details

Veröffentlichungs-Nr.
WO2012051120
Aktenzeichen
EP11833210
Anmeldetag
10. Oktober 2011
Veröffentlichung
19. April 2012
Rechtsraum
WO
IPC
H01L21/316H01L21/762
Offizieller Volltext

Abstract

Für dieses Patent liegt uns kein Abstract vor.

Anmelder

Firma
Applied Materials, Inc.
Land
🇺🇸 USA
🇺🇸 Applied Materials

US-amerikanisches Technologieunternehmen mit Sitz in Santa Clara, Kalifornien. Applied Materials entwickelt Fertigungsanlagen und Prozesstechnologien für die Halbleiter-, Display- und Solarindustrie, unter anderem für Beschichtung, Ätzen und Materialabscheidung.

10.783 Patente in unserer Datenbank

Vertreten von

Kein Vertreter erfasst.

Noch Fragen?

Wir helfen Ihnen gerne weiter. Schreiben Sie uns einfach.

Kontakt aufnehmen