Two silicon-containing precursors for gapfill enhancing dielectric liner
WO2012051120
Art A2
19. April 2012
Anmelder: Applied Materials, Inc. 🇺🇸
Details
- Veröffentlichungs-Nr.
- WO2012051120
- Aktenzeichen
- EP11833210
- Anmeldetag
- 10. Oktober 2011
- Veröffentlichung
- 19. April 2012
- Rechtsraum
- WO
- IPC
- H01L21/316H01L21/762
Abstract
Für dieses Patent liegt uns kein Abstract vor.
Anmelder
- Firma
- Applied Materials, Inc.
- Land
- 🇺🇸 USA
🇺🇸
Applied Materials
US-amerikanisches Technologieunternehmen mit Sitz in Santa Clara, Kalifornien. Applied Materials entwickelt Fertigungsanlagen und Prozesstechnologien für die Halbleiter-, Display- und Solarindustrie, unter anderem für Beschichtung, Ätzen und Materialabscheidung.
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