Group-iii-nitride semiconductor element, multi-wavelength-emitting group-iii-nitride semiconductor layer, and method for forming multi-wavelength-emitting group-iii-nitride semiconductor layer

WO2012053331 Art A1 26. April 2012

Anmelder: SHOWA DENKO K.K. 🇯🇵

Details

Veröffentlichungs-Nr.
WO2012053331
Aktenzeichen
EP11834171
Anmeldetag
28. September 2011
Veröffentlichung
26. April 2012
Rechtsraum
WO
IPC
H01L33/32
Offizieller Volltext

Abstract

Für dieses Patent liegt uns kein Abstract vor.

Anmelder

Firma
SHOWA DENKO K.K.
Land
🇯🇵 Japan
🇯🇵 Showa Denko

Japanisches Chemieunternehmen mit Sitz in Tokio, seit 2023 als Resonac Holdings firmierend. Aktiv in Petrochemie, Elektronikmaterialien, Batteriematerialien sowie Halbleiterchemikalien.

3.077 Patente in unserer Datenbank

Vertreten von

Kein Vertreter erfasst.

Noch Fragen?

Wir helfen Ihnen gerne weiter. Schreiben Sie uns einfach.

Kontakt aufnehmen