Method of manufacturing a sic bipolar junction transistor and sic bipolar junction transistor thereof

WO2012055777 Art A1 3. Mai 2012

Anmelder: Fairchild Semiconductor Corporation 🇺🇸

Details

Veröffentlichungs-Nr.: WO2012055777
Aktenzeichen: EP11771184
Anmeldetag: 21. Oktober 2011
Veröffentlichung: 3. Mai 2012
Rechtsraum: WO
IPC: H01L29/732H01L21/04H01L29/32H01L29/16H01L29/04

Offizieller Volltext

Abstract

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Anmelder

Firma: Fairchild Semiconductor Corporation
Land: 🇺🇸 USA

🇺🇸 Fairchild Semiconductor

Fairchild Semiconductor war ein US-amerikanischer Halbleiterhersteller, der 2016 von ON Semiconductor übernommen wurde. Das Patentportfolio konzentriert sich fast vollständig auf Halbleiter- und Schaltungstechnik sowie Leistungselektronik. Die Anmeldungen stammen aus den Jahren 2000 bis 2017.

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Fachgebiete

Halbleiter & Elektrische Bauelemente

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