Semiconductor substrate, method of manufacturing semiconductor substrate, and vertical-cavity surface-emitting laser

WO2012056648 Art A1 3. Mai 2012

Anmelder: Sumitomo Chemical Co., Ltd 🇯🇵

Details

Veröffentlichungs-Nr.: WO2012056648
Aktenzeichen: EP11835795
Anmeldetag: 18. Oktober 2011
Veröffentlichung: 3. Mai 2012
Rechtsraum: WO
IPC: H01S5/183H01L21/205H01S5/343

Offizieller Volltext

Abstract

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Anmelder

Firma: Sumitomo Chemical Co., Ltd
Land: 🇯🇵 Japan

🇯🇵 Sumitomo Chemical

Japanischer Chemiekonzern mit Sitz in Tokio, Teil der Sumitomo-Gruppe. Aktiv in Petrochemie, Agrochemie, Pharmazeutika, Elektronikmaterialien, Energiematerialien und Kunststoffen.

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Fachgebiete

Halbleiter & Elektrische Bauelemente

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