Semiconductor device, heat radiation member, and manufacturing method for semiconductor device

WO2012056809 Art A1 3. Mai 2012

Anmelder: Fuji Electric Co., Ltd. 🇯🇵

Details

Veröffentlichungs-Nr.: WO2012056809
Aktenzeichen: EP11835950
Anmeldetag: 30. August 2011
Veröffentlichung: 3. Mai 2012
Rechtsraum: WO
IPC: H01L23/12H01L23/36

Offizieller Volltext

Abstract

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Anmelder

Firma: Fuji Electric Co., Ltd.
Land: 🇯🇵 Japan

🇯🇵 Fuji Electric

Japanischer Elektrotechnikkonzern mit Sitz in Tokio, tätig in den Bereichen Leistungshalbleiter, Energieerzeugungsanlagen und industrielle Automatisierungstechnik.

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Fachgebiete

Halbleiter & Elektrische Bauelemente

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