Resistive Memory Having Rectifying Characteristics Or an Ohmic Contact Layer

WO2012057499 Art A2 3. Mai 2012

Anmelder: Industry-University Cooperation Foundation Hanyang University 🇰🇷

Details

Veröffentlichungs-Nr.: WO2012057499
Aktenzeichen: EP11836591
Anmeldetag: 25. Oktober 2011
Veröffentlichung: 3. Mai 2012
Rechtsraum: WO
IPC: H01L27/115H01L21/8247

Offizieller Volltext

Abstract

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Anmelder

Firma: Industry-University Cooperation Foundation Hanyang University
Land: 🇰🇷 Südkorea

🇰🇷 Industry-University Cooperation Foundation Hanyang University

Die Industry-University Cooperation Foundation Hanyang University ist die Patentverwertungseinrichtung der südkoreanischen Hanyang University in Seoul. Das Portfolio deckt vor allem Halbleiter und elektrische Bauelemente sowie Medizintechnik und Gesundheit ab, ergänzt um Nachrichtentechnik und Software. Anmeldungen laufen kontinuierlich seit 2002.

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Fachgebiete

Halbleiter & Elektrische Bauelemente

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